华邦电总经理陈沛铭在先前法说会指出，随新订单出货启动，平均售价（ASP）与位元出货量（Bit Growth）均可望显著提升。他指出，高雄厂16奈米DRAM产线贡献度持续提升，Flash产品线后段测试瓶颈已解除，45奈米制程全面推广，有助强化高密度Flash于行动装置、穿戴式与车用市场的竞争力。
陈沛铭分析，记忆体市场已进入结构性上行循环。NOR Flash受原物料成本与终端需求回升带动，自第三季起止跌回升；SLC NAND供给吃紧，价格续涨。CMS产品线中DDR4与DDR3合约价维持上行，预期涨势可延续至2026年。随主要竞争对手逐步退出DDR4市场，全球供给出现结构性缺口，华邦等具成熟制程优势的厂商将明显受惠。
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