昨天Hi Investment & Securities研究员朴相佑在一份报告中表示：「三星电子近期成功地提高4奈米工艺的良率，并提高了高通和辉达再次合作的可能性。」
IT之家报导，之前三星电子代工厂曾经历过产品上市延迟以及 10奈米以下工艺良率提升缓慢的情况，导致主要客户纷纷转向台积电。结果，去年台积电的资本支出和产能分别是三星电子代工业务的 3.4 倍和 3.3 倍。
在 7奈米以下的先进工艺方面，台积电的市占率达到90%，进一步拉大2家公司之间的差距。
随著三星电子今年 4奈米工艺良率超过 75%、3奈米工艺良率超过 60%，再加上台积电涨价的影响，韩媒指出，业界认为三星有望再次夺回被台积电抢走的客户，而且之前高通和辉达等多位客户也曾表示，他们有必要将其外包生产进行多元化。
根据三星代工在 SFF 2023 上公布的最新工艺技术路线图，该公司计划在 2025 年推出 2 奈米级的 SF2 工艺，2027 年推出 1.4 奈米级的 SF1.4 工艺。与此同时，该公司还公布 SF2 工艺的一些特性。
IT之家注意到，在扩大技术供应的同时，三星仍然致力于扩大其在韩国平泽和美国德州泰勒市的产能。
三星计划于 2023 年下半年在其平泽 P3 线开始量产晶片，而泰勒市新建厂房预计将于今年年底完工，并于 2024 年下半年开始营运。三星目前的计划是到 2027 年将其无尘室容量比 2021 年增加 7.3 倍。
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