根据SemiconVoice报导指出，根据长鑫存储的内部文件指出，此起因为人为失误所导致的数万片晶圆报废事件，导致产线出现良率与品管的重大损失，关键产品无法按时交货，影响该公司在市场上的公信力，在公司调查后，针对营运中心负责人、合肥晶圆厂厂长等高层都遭到惩处。
值得注意的是，有消息指出，这次合肥晶圆厂的高层当中，有曾经担任台积电上海松江厂厂长的高层也遭到牵连，报导指称，当年就是这名高层带著台积电中国厂区的部分工程师跳槽到长鑫存储。
长鑫存储2016年成立后，在中国政府半导体国产化支持下，快速成为中国最大的DRAM厂商，随著美国政府打压中国AI产业发展，其中最关键的产品为高频宽记忆体（HBM）也遭到断供，根据先前媒体报导，长鑫存储也计划进军HBM，据传长鑫存储已经获得HBM需要用到的记忆体组装与测试机台，并预计在合肥附近筹措资金建立HBM生产线。
长鑫存储主要产品为17和18 奈米DDR4 和 LPDDR4，最新产品为12奈米DDR5、LPDDR5X。长鑫存储DRAM总产能从2022年每月7万片，快速成长到2023年12万片，2024年将达到20万片，而快速扩产行动也对DRAM市场报价造成巨大压力，除了拥有最高利润的HBM仍支撑记忆体市场之外，其他产品的市况仍然不佳。
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