此扇出型封装技术的发展提供了突破性的上板可靠性(board level reliability)和卓越的电性效能，满足需要更大记忆体以及计算能力的网络和人工智慧应用整合需求。
日月光指出，随著晶片互连的高密度、高速和低延迟需求不断增长，FOCoS-CF 和 FOCoS-CL 解决方案是更高层级的创新封装技术。FOCoS-CF 和 FOCoS-CL方案解决传统覆晶封装将系统单晶片(SoC)组装在基板上的局限性，将两个或多个晶片重组为扇出模组(fan out module)，再置于基板上实现多晶片以及小晶片(Chiplet)的整合。封胶体分隔重布线层 (Encapsulant-separated RDL)是一种Chip First技术，有助于解决传统重组晶圆制程技术中的晶片放置和设计规则的相关问题。
FOCoS-CF 利用封胶体分隔重布线层(RDL)有效改善晶片封装交互作用 (Chip Package Interaction , CPI) ，在RDL 制造阶段减低晶片应力上的风险以及提供更好的高频信号完整性。
还可改善高阶晶片设计规则，通过减少銲垫间距提高到现有 10 倍的I/O 密度，同时可整合不同节点和不同晶圆厂的晶片，创造的异质整合商机。 数据显示，FOCoS-CL对于整合高频宽记忆体(High Bandwidth Memory, HBM)特别有效益，这也是极其重要的技术领域，能够优化功率效率并节省空间。随著 HPC、伺服器和网络市场对 HBM 的需求持续增长，FOCoS-CL 提供关键的性能和空间优势。
通过先进封装技术实现异质整合，可在单一封装内实现不同设计和制程节点的小晶片整合。异质整合以可控成本实现更高的系统智能、更好的连接性和更高的效能，同时提供了良率提升和 IP 重复利用的价值。
日月光的 FOCoS 产品组合（FOCoS-CF 和 FOCoS-CL）符合市场需求，这两种解决方案都可将不同的晶片和覆晶元件封装在高脚数BGA基板上，从而使系统和封装架构设计师能够为其产品战略、价值和上市时间，设计出最佳的封装整合解决方案。
FOCoS封装技术实现的小晶片整合，可多达五层的重布线层(RDL)互连、具有1.5/1.5µm RDL L/S的较小线距以及34x50mm2的大扇出模组尺寸。FOCoS还提供广泛的产品整合方案，例如整合高频宽记忆体 (HBM)的专用积体电路 (ASIC)，以及整合串化器／解串化器 (SerDes)的ASIC，可广泛应用于HPC、网络、人工智能/机器学习(AI/ML)和云端等不同领域。
此外，由于不需要矽中介层(Si Interposer) 并降低了寄生电容，FOCoS展现了比 2.5D Si TSV更好的电性性能和更低的成本。
日月光研发副总洪志斌博士表示：「FOCOS-CF 及 FOCOS-CL 的特殊处，在于能够应用不同制程扇出平台技术达成最佳电性、应力连接来优化多晶片异质和同质整合，而且能透过PDK (Package Design Kit) 大幅缩短设计流程及时间。这是业界首创的创新封装解决方案，为我们的客户在满足严格的微型化、高频宽、低延迟及陆续发展的先进设计和高性能需求上，提供相当大的竞争优势。」。
日月光销售与行销资深副总Yin Chang说：「小晶片的架构是目前半导体产业发展趋势，这种架构需要变革性的封装技术创新来满足关键的功率和性能要求。
作为产业领导者，日月光通过 VIPack™ 平台提供包括 FOCoS-CF 和 FOCoS-CL 在内的系统整合封装技术组合，协助实现 HPC、人工智能、5G和汽车等重要应用。」 FOCoS-CF 和 FOCoS-CL是日月光在 VIPack™平台提供的先进封装解决方案系列之一， VIPack™ 是一个根据产业蓝图协同合作的可扩展平台。
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