Driver IC方面，主要采用HV（High Voltage）特殊工艺，各家近期聚焦40/28奈米HV制程开发，目前市场制程技术较领先的是联电（UMC），其次是格罗方德（GlobalFoundries）。不过，中芯国际28HV、合肥晶合集成40HV将先后于今年第4季、明年下半年进入量产阶段，并与其他晶圆代工业者的技术差距逐渐缩小，尤其制程能力与产能相当的竞争者如力积电（PSMC），或暂无十二吋厂的世界先进（Vanguard）、东部高科（DBHitek）短期内将首当其冲；对联电、格罗方德中长期来看也将造成影响。
CIS/ISP方面，3D CIS结构包含逻辑层ISP与CIS感光层，主流制程大致以45/40奈米为分水岭，逻辑层ISP制程将持续往更先进节点发展；CIS感光层与FSI/BSI CIS则以65/55奈米及以上为主流。
目前技术领先业者以台积电（TSMC）、联电、三星（Samsung）为主，中国业者中芯、合肥晶合集成紧追其后，除持续追赶制程差距，产能也受惠中国智慧手机品牌OPPO、Vivo、小米（Xiaomi）等出海口支撑，加上中国CIS业者OmniVision、Galaxycore与SmartSens因应政府政策，陆续将订单移回中国进行投产支撑。
Power Discrete（功率元件）方面，主要涵盖MOSFET与IGBT两种产品，世界先进、HHGrace深耕Power Discrete制程已久，制程平台及车规验证覆盖完整性皆较其他同业更高。
受惠于中国电动车补贴政策以及铺设太阳能相关基础建设，中国晶圆代工业者据此获得更多切入机会，包含主流代工厂HHGrace、中芯国际、合肥晶合集成、CanSemi在内的业者，加上中国本土小型的Power Discrete IDM、晶圆厂如GTA及CRMicro等均加入Power Discrete竞争行列。若中国产能同时大量开出，将加剧全球Power Discrete代工竞争压力，影响性不仅限于中国本土同业的价格战，也可能分食台系业者的订单及客户。
整体而言，中国透过积极招揽海外及境内IC设计业者投产或研发新品，目的为提高本土化生产的比例，但大幅扩产的结果可能造成全球成熟制程产能过剩，且随之而来的将是价格战。
TrendForce认为，中国成熟制程产能陆续开出，针对Driver IC、CIS/ISP与Power discrete等本土化生产趋势将日渐明确，具备相似制程平台及产能的二、三线晶圆代工业者可能面临客户流失风险与价格压力，如联电（UMC）、力积电（PSMC）与世界先进（Vanguard）等以特殊制程产品为大宗的台系业者将首当其冲，技术进展和良率将是后续巩固产能的决胜点。
爆料信箱：news@nextapple.com
★加入《壹苹》Line，和我们做好友！
★下载《壹苹新闻网》APP
★Facebook 按赞追踪
點擊閱讀下一則新聞
