IT之家指出，专利中提及GAA技术适用于包括5奈米、7奈米、10奈米和14奈米在内的3奈米以下晶片，但这并不代表长鑫存储当前具备制造3奈米的能力。
根据《南华早报》报导，长鑫存储虽然没有发布相关的样品，但本次论文的发布，引发产业分析师对该公司下一代记忆体的广泛关注，表明长鑫在面对美国封锁下，不断加强自主晶片开发能力。
长鑫存储发表声明称，该论文描述与DRAM结搆和4F2设计可行性相关的基础研究，与长鑫存储当前的生产工艺无关，暗示该设计纸张还远未成为一种适销对路的产品。
据长鑫存储官网显示，长鑫存储推出最新LPDDR5 DRAM存储晶片，是中国首家推出自主研发生产的LPDDR5产品的品牌，实现中国市场零的突破，同时也让长鑫存储在移动终端市场的产品布局更多元。
长鑫存储LPDDR5系列产品包括12GB的LPDDR5颗粒，POP封装的12GB LPDDR5晶片及DSC封装的6GB LPDDR5晶片。12GB LPDDR5晶片目前已在中国主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。LPDDR5是长鑫存储面对中高阶移动设备市场推出的产品，它的市场化落地将进一步完善长鑫存储DRAM晶片的产品布局。
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