三星在4月30日公布第一季财报,受惠于市场对于AI基础建设大幅扩张,对于记忆体的需求也大幅提升,加上旗舰智慧型手机Galaxy S24系列销售强劲,营收来到71.92兆韩圜(约520亿美元)、年增12.81%,超越市场预期的71.04兆韩圜,营业利益更是达6.61兆韩圜、年增飙涨932.8%,超越市场预期的5.94兆韩圜。 三星也在财报会议指出,今年8层垂直堆叠HBM3E于4月量产,同时,第二季会开始量产 12 层垂直堆叠,比原本计划提早,三星表示,这是为了应付生成式AI的应用需求,所以加快新型的HBM生产进度。

三星半导体事业暨装置解决方案事业部门(Device Solutions)第一季营利达1.91兆韩圜,不仅优于去年同期营业亏损4.58兆韩圜,终结连4季亏损,记忆体业务营收达17.49兆韩圜、年增96%。三星2023年半导体部门亏损14.9兆韩圜,使得三星总营利创下15年来最低点,三星预期生成式AI商机会持续推动半导体业务改善,不过归属在该部门的晶圆代工业务则是延迟营收改善时间,主要是受到市需求疲弱、库存调整持续等影响,不过改善措施仍使得亏损略为收敛。

AI处理器的先进封装关键、高频宽记忆体(HBM),为各家先进技术的记忆体厂商发展重点,加上市面上的AI伺服器处理器绝大多是都是由辉达(NVIDIA)所供应,扩充版本HBM3E更是目前效能最优秀的AI用DRAM。先进技术记忆体大厂包括美光、SK海力士以及三星,去年下半年向辉达送样8层垂直堆叠HBM3E,美光、SK海力士都已经获得辉达验证,但是三星仍未通过。

据韩媒《Alpha Biz》报导指出,台积电身为辉达的晶片制造与先进封装主要合作对象,台积电也参与了辉达验证的关键环节,传闻是采用台积电主要合作厂商SK海力士的验证标准,三星的制程却与其有所差异,三星也否认了其记忆体制程有缺陷的市场传闻,重申会提供最佳产品给客户。市场人士认为,三星只要验证标准调整一下,三星就能过关,所以关键就在台积电愿不愿意改标准。

据韩媒《韩国经济日报》月初报导,三星正在召集约100名优秀工程师组成HBM团队,首要任务就是提升良率与品质,借此符合辉达的标准,据传辉达执行长黄仁勋要求三星提升8层与12层堆叠HBM3E的良率与品质,才能与三星敲定合约,三星目前把目标摆在12层堆叠HBM3E,希望能在5月通过辉达的品质测试。

由于目前HBM都已经售罄,三星、SK海力士都将超过20%DRAM生产线改为HBM,并积极争取辉达青睐。不过,韩媒《BusinessKorea》也指出,黄仁勋试图让三星、SK海力士持续竞争,迟迟未敲定三星的合约,但也让三星持续研发HBM技术,就是希望可以压低第三代HBM3 DRAM(HBM2E)价格,从2023年以来报价已经飞涨5倍,势必影响辉达营运成本。

SK海力士已在4月宣布,分别要在美国印第安那州投资38.7亿美元建立先进封装厂,并在南韩投入38.5亿美元建立HBM的新DRAM厂,并宣布与台积电建立合作关系,以确保对辉达的订单所需的先进封装产能。


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