三星在4月30日公布第一季财报，受惠于市场对于AI基础建设大幅扩张，对于记忆体的需求也大幅提升，加上旗舰智慧型手机Galaxy S24系列销售强劲，营收来到71.92兆韩圜（约520亿美元）、年增12.81%，超越市场预期的71.04兆韩圜，营业利益更是达6.61兆韩圜、年增飙涨932.8%，超越市场预期的5.94兆韩圜。 三星也在财报会议指出，今年8层垂直堆叠HBM3E于4月量产，同时，第二季会开始量产 12 层垂直堆叠，比原本计划提早，三星表示，这是为了应付生成式AI的应用需求，所以加快新型的HBM生产进度。
三星半导体事业暨装置解决方案事业部门（Device Solutions）第一季营利达1.91兆韩圜，不仅优于去年同期营业亏损4.58兆韩圜，终结连4季亏损，记忆体业务营收达17.49兆韩圜、年增96%。三星2023年半导体部门亏损14.9兆韩圜，使得三星总营利创下15年来最低点，三星预期生成式AI商机会持续推动半导体业务改善，不过归属在该部门的晶圆代工业务则是延迟营收改善时间，主要是受到市需求疲弱、库存调整持续等影响，不过改善措施仍使得亏损略为收敛。
AI处理器的先进封装关键、高频宽记忆体（HBM），为各家先进技术的记忆体厂商发展重点，加上市面上的AI伺服器处理器绝大多是都是由辉达（NVIDIA）所供应，扩充版本HBM3E更是目前效能最优秀的AI用DRAM。先进技术记忆体大厂包括美光、SK海力士以及三星，去年下半年向辉达送样8层垂直堆叠HBM3E，美光、SK海力士都已经获得辉达验证，但是三星仍未通过。
据韩媒《Alpha Biz》报导指出，台积电身为辉达的晶片制造与先进封装主要合作对象，台积电也参与了辉达验证的关键环节，传闻是采用台积电主要合作厂商SK海力士的验证标准，三星的制程却与其有所差异，三星也否认了其记忆体制程有缺陷的市场传闻，重申会提供最佳产品给客户。市场人士认为，三星只要验证标准调整一下，三星就能过关，所以关键就在台积电愿不愿意改标准。
据韩媒《韩国经济日报》月初报导，三星正在召集约100名优秀工程师组成HBM团队，首要任务就是提升良率与品质，借此符合辉达的标准，据传辉达执行长黄仁勋要求三星提升8层与12层堆叠HBM3E的良率与品质，才能与三星敲定合约，三星目前把目标摆在12层堆叠HBM3E，希望能在5月通过辉达的品质测试。
由于目前HBM都已经售罄，三星、SK海力士都将超过20%DRAM生产线改为HBM，并积极争取辉达青睐。不过，韩媒《BusinessKorea》也指出，黄仁勋试图让三星、SK海力士持续竞争，迟迟未敲定三星的合约，但也让三星持续研发HBM技术，就是希望可以压低第三代HBM3 DRAM（HBM2E）价格，从2023年以来报价已经飞涨5倍，势必影响辉达营运成本。
SK海力士已在4月宣布，分别要在美国印第安那州投资38.7亿美元建立先进封装厂，并在南韩投入38.5亿美元建立HBM的新DRAM厂，并宣布与台积电建立合作关系，以确保对辉达的订单所需的先进封装产能。
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