据《路透》报导，三星发出的声明表示，HBM 是客制化记忆体，根据客户需求进行调整并最佳化，三星与客户正密切合作，但拒绝针对特定客户发表评论，辉达也不予置评。生成式 AI 浪潮激发了科技巨头对于GPU的庞大需求，这使得将 DRAM垂直堆叠、降低功耗，有助于处理大量AI运算的HBM成为焦点，HBM3E更是市面上最新的版本，包括美光、SK海力士都参与竞争，并陆续获得辉达验证，但至今三星仍未达到辉达的标准，而迟迟无法向辉达出货。
韩媒《Alpha Biz》先前报导指出，台积电身为辉达的晶片制造与先进封装主要合作对象，台积电也参与了辉达验证的关键环节，传闻是采用台积电主要合作厂商SK海力士的验证标准，三星的制程却与其有所差异，三星也否认了其记忆体制程有缺陷的市场传闻，重申会提供最佳产品给客户。市场人士认为，三星只要验证标准调整一下，三星就能过关，所以关键就在台积电愿不愿意改标准，然而，从目前外媒报导来看，三星产品实际表现，才是无法过关的主要原因。
根据全球市场研究及调查公司集邦科技Trendforce近期研究报告指出，BM3E 晶片有机会成为今年市场主流 HBM 产品，并在今年下半年大量出货，SK 海力士预估，直到2027年，HBM的需求将以每年82%的增速成长，三星在这场先进记忆体、甚至是AI晶片的竞赛处在劣势，导致2024年以来股价仍下跌4%，SK海力士股价今年以来涨近4成，美光股价更是飙涨近6成。
对此，三星半导体事业暨装置解决方案事业部门（Device Solutions）庆桂显 (Kyung Kye-hyun)在上周遭到撤换，改由三星 SDI 前执行长、记忆体业务前高阶主管全永铉 (Young Hyun Jun) 接任，主要就是在关键记忆体业务远输给竞争对手，三星高层希望能重振半导体部门的发展步调，尽力追上其他竞争对手，来解除三星的「晶片危机」。
韩媒《韩国经济日报》月初报导，三星正在召集约100名优秀工程师组成HBM团队，首要任务就是提升良率与品质，借此符合辉达的标准，据传辉达执行长黄仁勋要求三星提升8层与12层堆叠HBM3E的良率与品质，才能与三星敲定合约，三星目前把目标摆在12层堆叠HBM3E，希望能在5月通过辉达的品质测试，但现在显然仍无法达到辉达的目标。
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