格棋化合物半导体自2016年即展开长晶技术研发，并于2022年正式成立，专注于第三代化合物半导体的工艺技术开发，研发团队成员在化合物半导体领域累积了丰富经验。格棋中坜新厂的总投资额高达6亿元，预计于2024年第四季达到满产，届时6吋碳化矽晶片月产能将达5,000片。同时，新厂计划安装20台8吋长晶炉及100台6吋长晶炉，预期大幅提升产能，并为当地提供超过50个工作机会。
格棋董事长张忠杰致词表示，中坜新厂的启用是公司发展历程中的重要里程碑，格棋将持续投资先进设备与技术，以满足全球市场对碳化矽日益增长的需求。因应全球企业社会责任（ESG）趋势，中坜新厂导入能源管理系统及再生能源系统，结合储能技术，透过削峰填谷方式平衡能源需求，减少高峰时段的能源负荷，进一步降低能源成本及碳排放。
格棋还宣布与中科院签署合作协议，双方将携手开发高频通讯用碳化矽元件，以加速进军5G/B5G通讯市场。中科院副院长简定华指出，全球能源短缺与气候变迁挑战日益严峻，而高科技创新是解决这些问题的关键。他进一步指出，碳化矽技术具备高效能与低功耗的优势，已广泛应用于汽车、发电、5G通讯、军事等领域。自民国100年起，中科院与经济部、国防部合作，积极投入绿能与碳化矽的研发，并在10年间累积了大量技术与专利，未来也计划与产业界共享这些研发成果，推动技术应用的进一步发展。
格棋亦宣布与三菱综合材料商贸签署合作协议，双方将联手开拓日本市场。根据合作协议，三菱综合材料商贸将负责向日本市场提供6吋和8吋碳化矽晶锭、晶圆及磊晶片材料，格棋则负责整合台湾的合作伙伴资源，确保供应链的稳定与品质。三菱综合材料商贸社长桥本良作指出，台湾与日本在半导体产业中的关键角色，并表示碳化矽元件在日本市场的潜力无限，预期此次合作将为双方带来双赢局面。
格棋技术长叶国伟强调，碳化矽半导体因其具备高效能、高频率及耐高温的特性，在电动车、混合动力车及5G通讯等领域展现了广泛应用前景。随著技术的不断成熟及成本的降低，市场需求快速增长，格棋的目标是透过技术创新，巩固其在全球碳化矽供应链中的核心地位。
格棋拥有独特的碳化矽晶体成长技术，包括专有的晶种结合方法、即时监控系统、涂层技术以及原料控制和热处理技术，这些技术能有效提升晶体品质，降低缺陷密度，为客户提供高品质、高可靠性的碳化矽晶圆产品。随著中坜新厂的正式启用以及与国际伙伴的战略合作，格棋化合物半导体将迈向新的成长阶段，未来将持续投入研发，优化制程技术，进一步强化台湾在全球第三代半导体产业中的领导地位。
點擊閱讀下一則新聞
