TrendForce表示,与已广泛使用的micro bump (微凸块)堆叠技术相比,hybrid bonding由于不配置凸块,可容纳较多推叠层数,也能容纳较厚的晶粒厚度,以改善翘曲问题。使用hybrid bonding的晶片传输速度较快,散热效果也较好。三大原厂已确定将在HBM3e 12hi及HBM4 12hi世代延续使用Advanced MR-MUF及TC-NCF堆叠架构。

TrendForce说明,在HBM4 16hi及HBM4e 16hi世代,因hybrid bonding未较micro bump具明显优势,尚无法断定哪一种技术能受青睐。若原厂决定采用hybrid bonding,主因应是为及早经历新堆叠技术的学习曲线,确保后续HBM4e和HBM5顺利量产。三大业者考量堆叠高度限制、IO密度、散热等要求,已确定于HBM5 20hi世代使用hybrid bonding。

不过,采用hybrid bonding须面对多项挑战。TrendForce强调,原厂投资新设备导入新的堆叠技术,将排挤对micro bump的需求,亦不再享有原本累积的技术优势。hybrid bonding尚有微粒控制等技术问题待克服,将垫高单位投资金额。此外,由于hybrid bonding须以wafer to wafer模式堆叠,若front end生产良率过低,整体生产良率将不具经济效益。

TrendForce指出,采用hybrid bonding可能导致HBM的商业模式出现变化。使用wafer to wafer模式堆叠,须确保HBM base die与memory die的晶粒尺寸完全一致;而前者的设计是由GPU/ASIC业者主导,因此,同时提供base die及GPU/ASIC foundry服务的台积电可能将担负base die与memory die堆叠重任。若循此模式发展,预料将冲击HBM业者在base die设计、base die与memory die堆叠,以及整体HBM接单等商业环节的产业地位。


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