程正桦指出，记忆体本质仍取决于供需结构，需求端尤其难以预测。尽管目前AI与伺服器需求强劲，市场估计相关应用成长可达四成以上，但仍有约六成需求来自消费性产品，一旦价格上涨过快，恐压抑终端需求。他认为，短期来看，明年第一季价格表现可期，第二季亦不至于太差，但下半年是否续强，仍须视「AI军备竞赛」能否延续；供给端方面，2026年新增产能有限，但2027年起新厂规画明显增加，届时供给扩张恐成压力来源。
陈慧明则从资本支出角度指出，明年整体投资步调仍偏保守，主因在于HBM产能排挤其他产品线。「超级循环」一词仍需打上问号，因记忆体产能具备可转换与可牺牲特性，例如部分DDR4产线已主动收缩，有助于价格回稳。他也提醒，若价格与股价短期内过度上涨，恐刺激后续资本支出大幅扩张，对2027年后的产业结构并非好事。
曲建仲则指出，当前股价表现究竟是产业基本面驱动，还是受联准会降息预期影响，值得深思。他认为，AI需求确实是此波记忆体行情的源头，但关键在于需求能维持多久。未来一至两年的重要观察指标，是AI应用能否克服「胡说八道」的技术瓶颈；若生成式AI的可靠性无法显著提升，企业导入成效恐不如预期，投资动能势必放缓。即便只是成长趋缓，而非实质衰退，一旦相关讯号释出，资本市场往往会率先反应。
整体而言，短期在AI需求支撑下，记忆体产业景气仍具撑，但是否真正进入长期「超级循环」，三位专家皆保持审慎，并将焦点放在需求真实性、资本支出节奏，以及2027年后供给端扩张所带来的结构性风险。
但就先从数据面来看，根据TrendForce最新调查指出，一般型DRAM与HBM3e价格已明显走扬，随AI伺服器布建需求优于预期，云端服务供应商扩大serverDDR5备货并提前规画2026至2027年采购，市场供需自2025年第三季起快速反转。TrendForce预期，HBM3e与serverDDR5的价格差距将持续收敛，供应商重新取得定价主导权，2026年HBM3e整体ASP可望小幅上修，显见记忆体需求仍然相当火热。
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