南韩半导体大厂三星电子不久前传出,员工与关系厂商向中企泄漏核心技术而蒙受天价损失,涉嫌在2016年向中国长鑫存储(CXMT)提供18奈米DRAM制程情报的金姓与方姓嫌犯今天遭南韩检方起诉。

据调查,金姓嫌犯2016年跳槽到长鑫存储时,将三星电子的蒸镀相关资料及7个核心制程技术资料流出,借此获得数百亿韩元收入,并以税后超过5亿韩元的金额,从三星电子及相关厂商挖角20多名技术人员。

方姓嫌犯作为供应三星电子半导体设备的厂商高层,与金嫌合谋将所属公司拥有的设计技术资料泄漏给长鑫存储。

一名三星电子常务涉嫌收受中资,意图在中国境内建设「复刻版」三星电子半导体厂;图为为于水原市(Suwon)的三星总部。路透社
一名三星电子常务涉嫌收受中资,意图在中国境内建设「复刻版」三星电子半导体厂;图为为于水原市(Suwon)的三星总部。路透社

在这起案件曝光的半年前,一名三星电子常务也涉嫌收受中资,意图在中国境内建设「复刻版」三星电子半导体厂,当时推算至少让三星电子损失3000亿韩元(约73亿元台币)。

韩媒Herald经济报导,对于层出不穷的专利技术外流案件,特别是涉及国家核心技术部分,南韩大法院量刑委员会表示,将智慧财产权犯罪量刑标准修正列为优先工作之一,正在进行修正程序。

南韩警方向量刑委员会提出的建议书提到,技术外流所造成的损失严重性与损失规模推算困难,这类案件犯嫌通常只会得到相对轻微的处罚,认为有必要提高量刑标准;警方在2021年至2022年送检的193件营业秘密侵害案件中,没有任何人为此坐牢。

为于匈牙利的三星SDI电池场。路透社
为于匈牙利的三星SDI电池场。路透社

检方则指出,目前量刑标准仅将技术外流类型分为在国内流出或向他国流出,建议应依严重性至少细分为5到6种标准。

三星电子等业者内部当然也不断强化相关规定及措施,以保护自家商业机密,不过,业界人士指出,无论企业如何努力但仍不断发生这类案件,显示各种防止资讯外流、提高处罚强度等单方面措施并不足以完全防范,最终仍只能依靠员工个人道德及守法意识。(中央社)

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