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台积电总裁魏哲家密访ASML A16晶片不用High-NA EUV立场改变?

台积电总裁魏哲家密访ASML A16晶片不用High-NA EUV立场改变?

【记者吕承哲/综合外电】台积电技术论坛台湾场次于上周四(23日)于新竹举行,但同时台积电总裁魏哲家却出现在欧洲,传出是造访全球独家供应极紫外光(EUV)微影设备的艾司摩尔(ASML)荷兰总部,引发市场讨论。对此,韩媒推论,魏哲家可能为了稳固高数值孔径极紫外光(High-NA EUV)设备产能供应给台积电,才会前往欧洲拜访ASML高层。

别怪台积电!三星HBM3E未过辉达验证原因曝光 高层急换人盼解危机

别怪台积电!三星HBM3E未过辉达验证原因曝光 高层急换人盼解危机

【记者吕承哲/综合外电】南韩科技大厂三星电子(Samsung)近期传出,对于AI伺服器处理器效能至关重要的HBM3E一直未通过辉达验证,且与台积电有关,不过,外媒报导指出,市场人士说明,主要是三星的记忆体仍无法处理过热与功耗过高等问题,导致辉达AI晶片无法使用,这印证了三星产品未通过台积电认证,是出自产品问题,但是先前遭到三星否认。

三星HBM3E没过辉达验证!传与台积电有关 还是黄仁勋留一手?

三星HBM3E没过辉达验证!传与台积电有关 还是黄仁勋留一手?

【记者吕承哲/综合外电】受惠AI浪潮对于高速运算需求快速窜升,高频宽记忆体(HBM)在市场上供不应求,相关厂商财报与展望几乎缴出亮眼成绩,南韩科技大厂三星电子(Samsung)近期却传出,对于AI伺服器处理器效能至关重要的HBM3E一直未通过辉达验证,且与台积电有关。

抛开美国制裁!华为2024年浴火重生 中国半导体供应链全力挺

抛开美国制裁!华为2024年浴火重生 中国半导体供应链全力挺

【记者吕承哲/综合外电】中国电信巨头华为自2019年在川普政府时期被列入实体清单,先进晶片供应遭到阻断,美国政府也在进入拜登政府时期,持续加强针对半导体产业的打击,这也导致华为当时必须停止先进晶片的开发,同时被迫出售旗下手机子品牌荣耀,然而,在2023年华为推出了Mate 60系列手机,并搭载采用中芯7奈米的麒麟麒麟9000S,让美国政府相当震惊。外媒报导指出,中国厂商为了扶持华为卯足全力,华为实际研发进程,对外也是保密到家。

花莲强震撼动记忆体产业!美光暂停DRAM报价 韩2大厂跟进

花莲强震撼动记忆体产业!美光暂停DRAM报价 韩2大厂跟进

【记者吕承哲/台北报导】台湾花莲3日发生规模芮氏规模 7.2 地震,调研机构集邦科技(TrendForce)于第一时间调查各厂受损以及运作状况指出, DRAM 产业大多落在台湾北部、中部,北部林口地区震度最大测得4~5级,各厂陆续停机检查,由于美光科技(Micron)DRAM产能主要集中在台湾地区,该公司率先停止DRAM报价,三星、SK海力士虽然没有厂区在台湾地区,也跟进停止报价,观望后市再行动。

十铨3月营收12.33亿元、年增116.19% 创同期营收新高纪录

十铨3月营收12.33亿元、年增116.19% 创同期营收新高纪录

【记者吕承哲/台北报导】十铨科技(4967)8日公布3月份营收达12.33亿元,对比去年同期大幅增长116.19 %,续创历史同期新高,季度营收亦缔造同期新高纪录,主要受惠于B2B专案与品牌力道强劲订单持续挹注,在电子产业淡季下,第一季仍创下亮眼佳绩,乐观看待今年成长幅度,展望113年第二季营运,原厂报价稳定上涨,在客户端拉货动能明确及专案合约持续带动下,表现可期。

避美中贸易战火!日本、欧盟携手合作 研发晶片、电池先进材料

避美中贸易战火!日本、欧盟携手合作 研发晶片、电池先进材料

【记者吕承哲/综合外电】美中对抗格局自2019年川普政府封杀华为以来确立,不仅针对先进晶片技术研发,关键技术的半导体设备商也无法出货到中国,限制对象不仅是美国企业,连荷兰的艾司摩尔(ASML)、台湾的台积电、日本半导体设备与材料供应商等,都停止供货先进晶片与相关技术到中国,拜登政府近期为了让中国更难取得AI晶片与制造工具,改变出口管制规则,借此保护美国半导体技术的领先优势。外媒报导指出,日本与欧盟打算携手合作,研发晶片、电动车电池所需的先进材料。

「台湾大使」黄仁勋:台湾拯救了辉达 矽谷重要演讲「秀台语」动真情

「台湾大使」黄仁勋:台湾拯救了辉达 矽谷重要演讲「秀台语」动真情

【周恩华/综合中央社、外电报导】跟「自己人」在一起时,最能够说出真心话与动了真感情。在人工智慧(Artificial Intelligence,AI)浪潮中领军的辉达(NVIDIA)执行长黄仁勋虽然参加了多场重要的国际会议,不过日前他在GTC大会期间与矽谷台湾人餐叙时动了真感情,并在致词时自诩为「很棒的台湾大使」。他说辉达和台湾一起成长,感谢台湾伙伴一路陪伴,「台湾拯救了辉达」。

Q1 DRAM合约季涨13~18% 全年展望仍不明朗

Q1 DRAM合约季涨13~18% 全年展望仍不明朗

【财经中心/台北报导】TrendForce表示,2024年第1季DRAM合约价季涨幅约13~18%,其中Mobile DRAM持续领涨。目前观察,由于2024全年需求展望仍不明朗,故原厂认为持续性减产仍有其必要,以维持记忆体产业的供需平衡。

消息指三星、美光第1季调涨DRAM价格 涨幅达15~20%

消息指三星、美光第1季调涨DRAM价格 涨幅达15~20%

【记者陈修凯/台北报导】全球记忆体大厂持续减产,加上AI和高效能运算的兴起,以及智能手机市场的库存回补等因素,带动记忆体产品价格持续上涨。根据集邦咨询报导,有消息称三星和美光计划2024年第1季提高DRAM价格,增幅在15%至20%间。

研调估明年首季Mobile DRAM、NAND Flash均价涨幅达18~23%

研调估明年首季Mobile DRAM、NAND Flash均价涨幅达18~23%

【记者陈修凯/台北报导】 据TrendForce预估,2024年第1季Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC/UFS)均价季涨幅将扩大至18~23%。同时,不排除在寡占市场格局或是品牌客户恐慌追价的情况下,进一步垫高涨幅。

本季DRAM合约价将涨价了 TrendForce估单季涨幅3~8%

本季DRAM合约价将涨价了 TrendForce估单季涨幅3~8%

【记者陈修凯/台北报导】据TrendForce研究显示,自第4季起DRAM与NAND Flash均价开始全面上涨,以DRAM来看,预估第4季合约价季涨幅约3~8%,而此波涨势能否延续端看供应商是否持续坚守减产策略,以及实际需求回温的程度,其中最关键的是通用型伺服器领域。

TrendForce估本季Mobile DRAM合约价涨13~18% 明年首季价格续扬

TrendForce估本季Mobile DRAM合约价涨13~18% 明年首季价格续扬

【记者陈修凯/台北报导】根据TrendForce最新研究显示,第4季Mobile DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%;NAND Flash方面,eMMC、UFS第4季合约价涨幅约10~15%;由于Mobile DRAM一直以来获利表现均较其他DRAM产品来的低,因此成为本次的领涨项目。

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