【记者吕承哲／台北报导】根据TrendForce最新调查，2026年第一季在AI伺服器需求持续扩张下，记忆体供给结构出现明显排挤效应。DRAM原厂大规模将先进制程与新增产能转向server与HBM应用，其余终端市场供给快速收缩，推升整体一般型DRAM（conventional DRAM）合约价，预估季增幅度高达55%至60%；NAND Flash亦因原厂控管产能、server强劲拉货排挤其他应用，第一季各类产品合约价估将上涨33%至38%。
【记者吕承哲／台北报导】根据TrendForce最新调查，由于2026年第一季记忆体价格预期再度显著上涨，全球消费性终端产品正面临更严峻的成本压力，智慧手机与笔电产业势将被迫调整定价策略，销量展望下修已难避免，市场资源也将进一步向少数龙头品牌集中。
【记者吕承哲／台北报导】DDR4价格于2025年下半年持续大涨，根据TrendForce最新调查，由于server订单挤压PC与consumer市场供应，DDR4市场供不应求情况加剧，迫使PC OEM加速导入DDR5方案，consumer厂商则面临高价与物料短缺双重压力，市场紧张氛围更推升Mobile DRAM价格，第三季LPDDR4X涨幅创近十年单季最大纪录。
【记者陈修凯／台北报导】根据TrendForce最新研究显示，第4季Mobile DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%；NAND Flash方面，eMMC、UFS第4季合约价涨幅约10~15%；由于Mobile DRAM一直以来获利表现均较其他DRAM产品来的低，因此成为本次的领涨项目。
【记者陈修凯／台北报导】 据TrendForce预估，2024年第1季Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC/UFS）均价季涨幅将扩大至18~23%。同时，不排除在寡占市场格局或是品牌客户恐慌追价的情况下，进一步垫高涨幅。
【财经中心／台北报导】TrendForce表示，2024年第1季DRAM合约价季涨幅约13~18%，其中Mobile DRAM持续领涨。目前观察，由于2024全年需求展望仍不明朗，故原厂认为持续性减产仍有其必要，以维持记忆体产业的供需平衡。
【记者吕承哲／台北报导】调研机构集邦科技TrendForce最新调查显示，今年第三季消费型产品需求疲软，记忆体市场主要由AI Server需求支撑，加上HBM逐渐取代部分DRAM产品产能，供应商对合约价格维持强硬立场。尽管Server OEM持续拉货，智慧手机品牌仍在观望。TrendForce预估，第四季记忆体整体平均价格涨幅将大幅缩减，DRAM价格增幅预计落在0%至5%，但在HBM需求增加的带动下，整体DRAM价格可望上涨8%至13%。
【记者吕承哲／台北报导】研调机构集邦科技TrendForce最新研究报告指出，受惠于位元需求成长、供需结构改善拉升价格，加上HBM等高附加价值产品崛起，预估DRAM及NAND Flash产业2024年营收年增幅度将分别增加75%和77%。
【记者陈修凯／台北报导】全球记忆体大厂持续减产，加上AI和高效能运算的兴起，以及智能手机市场的库存回补等因素，带动记忆体产品价格持续上涨。根据集邦咨询报导，有消息称三星和美光计划2024年第1季提高DRAM价格，增幅在15%至20%间。
【记者陈修凯／台北报导】据TrendForce研究显示，自第4季起DRAM与NAND Flash均价开始全面上涨，以DRAM来看，预估第4季合约价季涨幅约3~8%，而此波涨势能否延续端看供应商是否持续坚守减产策略，以及实际需求回温的程度，其中最关键的是通用型伺服器领域。
【财经中心／台北报导】 据TrendForce最新研究指出，受惠于DRAM供应商陆续启动减产，整体DRAM供给位元逐季减少，加上季节性需求支撑，减轻供应商库存压力，预期第3季DRAM均价跌幅将会收敛至0~5%。
【财经中心／台北报导】TrendForce预估2024年记忆体原厂对DRAM与NAND Flash的减产策略将延续，尤其以亏损严重的NAND Flash更明确。预期在2024上半年消费性电子市场需求能见度仍不明朗下，加上通用型伺服器资本支出受AI伺服器排挤，而显得需求相对疲弱下，因2023年基期已低，加上部分记忆体产品价格达相对低点，预估DRAM及NAND Flash需求位元年成长率将达13%及16%。
【财经中心／台北报导】 疫情冲击、消费者换机周期平均高达36~42个月，加上二手机市占持续扩大，导致智慧型手机产量成长受限，且至今仍难恢复疫情前水平。
【记者黄意淳／台北报导】各国边境陆续解封，物流阻塞纾解，缺货潮下大量采购的终端整机、零组件陆续到仓，疫情红利消散，加上全球高通膨影响，消费性电子产品销售力道急冻，导致供应链库存急遽攀升难以消化，研调观察，面板库存去化告一段落后，市场需求应该有机会回到传统的淡旺季节奏。
