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记忆体缺爆!传创见示警10月起无晶片供应 缺货恐一路延至明年

记忆体缺爆!传创见示警10月起无晶片供应 缺货恐一路延至明年

【记者吕承哲/台北报导】随著全球记忆体供应持续吃紧,模组厂的出货来源也全面收缩,市场传出创见(2451)近日向客户发出通知信,示警 NAND Flash 与 DRAM 缺货急速恶化,自 10 月以来更未再收到新的晶片供应。根据内部资讯,上周 NAND 价格单周涨幅达 50–100%,目前仍以「极不寻常的速度」持续上涨,预估短缺状况将延续 3 至 5 个月,也就是说,直到明年初还未能看到缓解情况。

AI需求火热!NAND Flash晶圆11月报价飙逾6成 12月预料续涨

AI需求火热!NAND Flash晶圆11月报价飙逾6成 12月预料续涨

【记者吕承哲/台北报导】根据 TrendForce 最新调查,2025 年 11 月整体 NAND Flash 需求持续受到 AI 应用与企业级 SSD(Enterprise SSD)订单强力拉动,然原厂优先分配产能给获利能力较好的高阶与企业级产品,且旧制程产能快速收敛,晶圆(wafer)供应情况更加紧绷,导致 11 月主流 wafer 合约价全面大幅上涨,各类产品平均月涨幅可达 20% 至 60% 以上,涨势快速扩散至所有容量段。

三星DRAM霸主地位不可动摇 连30年市占居全球之冠

三星DRAM霸主地位不可动摇 连30年市占居全球之冠

【财经中心/台北报导】根据国外媒体报导,三星在 DRAM 和 NAND 快闪记忆体的市占率明显高于其他厂商,其中在DRAM市场方面,三星市占率已连续30年居全球之冠,在 NAND 快闪记忆体市占率则是连续 20 年居首。

科林研发Lam Cryo 3.0 低温蚀刻技术 持续推进3D NAND目标

科林研发Lam Cryo 3.0 低温蚀刻技术 持续推进3D NAND目标

【记者吕承哲/台北报导】美国半导体设备大厂Lam Research 科林研发(股票代号:LRCX)推出Lam Cryo 3.0 ,这是该公司经过生产验证的第三代低温介电层蚀刻技术,扩大了在 3D NAND 快闪记忆体蚀刻领域的领先地位。随著生成式人工智慧(AI)的普及不断推动更大容量和更高效能记忆体的需求,Lam Cryo 3.0 为未来先进 3D NAND 的制造提供了至关重要的蚀刻能力。Lam Cryo 3.0 利用超低温、高功率局限电浆反应器技术和创新的表面化学制程,以业界领先的精度和轮廓控制进行蚀刻。

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