创见企业级SSD夺亚洲金选奖记忆体大奖 展现台湾制造研发实力
...专为数据中心与高效能伺服器打造,采用企业级TLC NAND快闪记忆体(eTLC)、PCIe Gen4...
...专为数据中心与高效能伺服器打造,采用企业级TLC NAND快闪记忆体(eTLC)、PCIe Gen4...
【记者吕承哲/台北报导】随著全球记忆体供应持续吃紧,模组厂的出货来源也全面收缩,市场传出创见(2451)近日向客户发出通知信,示警 NAND Flash 与 DRAM 缺货急速恶化,自 10 月以来更未再收到新的晶片供应。根据内部资讯,上周 NAND 价格单周涨幅达 50–100%,目前仍以「极不寻常的速度」持续上涨,预估短缺状况将延续 3 至 5 个月,也就是说,直到明年初还未能看到缓解情况。
【记者吕承哲/台北报导】根据 TrendForce 最新调查,2025 年 11 月整体 NAND Flash 需求持续受到 AI 应用与企业级 SSD(Enterprise SSD)订单强力拉动,然原厂优先分配产能给获利能力较好的高阶与企业级产品,且旧制程产能快速收敛,晶圆(wafer)供应情况更加紧绷,导致 11 月主流 wafer 合约价全面大幅上涨,各类产品平均月涨幅可达 20% 至 60% 以上,涨势快速扩散至所有容量段。
...级固态硬碟(SSD)方面,创见采用高耐用eTLC NAND快闪记忆体,具备至少7K次P/E抹写寿命,...
...作稳定性。 创见企业级SSD采用高耐用eTLC NAND快闪记忆体,具备至少可达7K P/E擦写次...
...ATA III 6Gb/s传输介面与112层3D NAND快闪记忆体,提供高达8TB的储存容量,兼具...
...算快速普及,国际调研机构GII表示,预计2025年NAND快闪记忆体市场规模为557.3亿美元,到2...
【财经中心/台北报导】根据国外媒体报导,三星在 DRAM 和 NAND 快闪记忆体的市占率明显高于其他厂商,其中在DRAM市场方面,三星市占率已连续30年居全球之冠,在 NAND 快闪记忆体市占率则是连续 20 年居首。
...刻技术已成功应用于长江存储(YMTC)量产276层NAND快闪记忆体晶片,并计划在未来两年内扩大使用...
【记者吕承哲/台北报导】美国半导体设备大厂Lam Research 科林研发(股票代号:LRCX)推出Lam Cryo 3.0 ,这是该公司经过生产验证的第三代低温介电层蚀刻技术,扩大了在 3D NAND 快闪记忆体蚀刻领域的领先地位。随著生成式人工智慧(AI)的普及不断推动更大容量和更高效能记忆体的需求,Lam Cryo 3.0 为未来先进 3D NAND 的制造提供了至关重要的蚀刻能力。Lam Cryo 3.0 利用超低温、高功率局限电浆反应器技术和创新的表面化学制程,以业界领先的精度和轮廓控制进行蚀刻。
...以进一步在DRAM、高频宽记忆体(HBM)和3D NAND快闪记忆体等记忆体领域的主导地位。 第三名...
【财经中心/台北报导】全球NAND快闪记忆体控制晶片领导厂商慧荣科技(SIMO),今天宣布加入NXP...
...,将会密切注意保持沟通。 三星电子目前在西安生产NAND快闪记忆体,SK海力士在无锡工厂生产DRA...
【财经中心/台北报导】三星电子今天公布第1季业绩,营业利润预计暴跌 95.8%,低于分析师的预期。因为晶片供过于求情况恶化,买家在全球经济放缓的情况下放缓采购。
【财经中心/综合外电】南韩三星电子今公布上季获利创8年新低,其中最引人注目的是其晶片部门获利暴跌近97%,外界预测本季就会陷入亏损。
...从2024年第1季开始涨至少15%。虽然目前还没有NAND快闪记忆体涨价的明确迹象,但预计会跟进上涨...
...进入Apple供应链,将供货iPhone 14系列NAND快闪记忆体。后续Apple也承认正考虑从长...
...题的行动超出之前预期。三星已经采取决定性的一步,将NAND快闪记忆体产量削减50%,以因应需求持续疲...
...设计图等商业机密,设计30奈米以下等级、DRAM与NAND快闪记忆体等被韩国政府定为国家核心技术的制...
...自研技术和产品作后盾,如显示面板、储存晶片、镜头、NAND快闪记忆体等,可以说智慧手机核心零件的研发...