庆桂显承认三星的代工技术落后于台积电，他解释说，三星的4奈米技术比台积电落后大约2年，而其3奈米制程工艺则比台积电落后大约1年。
IT之家报导，庆桂显也表示，等到2奈米就会发生变化，他并大胆预测：「我们可以在5年内超越台积电。」
三星可能在未来5年内超越台积电的想法，源于三星打算从3奈米制造工艺开始使用 Gate All Around（GAA，环绕式闸极）技术。相较之下，台积电在2奈米 制程才会使用 GAA。
GAA可以使三星生产出比台积电目前使用的工艺更小（45%）、能耗更低（50%）的晶片。庆桂显称「客户对三星的3奈米GAA 工艺的反映很好。」
庆桂显还表示，三星认为记忆体晶片在开发 AI 伺服器方面将变得更重要，并超过辉达 GPU，并称三星将确保以记忆体半导体为中心的超级电脑能够在 2028 年问世。」
据IT之家此前报导，近期三星称，其 4奈米晶片制程良率已改善、接近 5奈米的水准，下一代 4奈米制程将提供更高的良率。
业内消息人士透露，美国晶片巨头 AMD 已经选择三星作为其 4奈米处理器的合作伙伴。此外，谷歌也将委托三星生产其 Pixel 8 智慧手机的 Tensor 3 晶片，采用三星第三代 4奈米工艺节点。
爆料信箱：news@nextapple.com
★加入《壹苹》Line，和我们做好友！
★下载《壹苹新闻网》APP
★Facebook 按赞追踪
點擊閱讀下一則新聞
电脑展明登场AI话题热 法人估台股今止跌反弹但涨幅小 周五震荡整理
