起诉状中详述位于中国广东的英诺赛科公司总部招募了两名宜普公司的员工，分别担任科技长和销售暨行销业务负责人。不久后便推出了一套与宜普明显相同的产品，并自称与宜普产品几乎相同。近期英诺赛科又宣称其许多产品与市场上现有产品（包含宜普公司产品）「完全相容」，更大胆积极向宜普的客户推销这些产品元件。
氮化镓（GaN）将成为下一代的电源转换技术，有望在未来十年内取代矽基功率半导体。与矽基半导体相比，氮化镓是更小、更有效率且更可靠，并能以更低的成本表现出更良好的性能。
应用范围从计算、汽车、太阳能、机器人、无人机、医疗电子和雷射探测与测距到日常产品，如手机、音响设备、智慧型电器、电动工具、快速充电器和电动自行车等。
氮化镓技术有望将全球能源效率提高15~20%，有助降低能源成本、减少有害气体排放，并支持美国的能源安全和永续发展目标。专家预测未来2~3年内，氮化镓市场将达到数十亿美元的规模，并在未来十年内达到约数百亿美元的高峰。
宜普公司向联邦法院和美国国际贸易委员会起诉英诺赛科公司侵害专利权、寻求损害赔偿，并希望美国禁止进口该公司构成侵权的氮化镓产品元件。
这些被侵权的专利涉及宜普公司独家的增强型氮化镓功率半导体元件的设计、与制造的核心技术，且这些创新技术专利已成功将氮化镓的功率元件，从一个研究项目发展成为一个可大量生产的替代矽产品。此外，使用氮化镓元件的电晶体和积体电路，相较于使用矽基元件更具效率、轻巧且成本更低。
