根据《彭博》报导,华为与中国晶圆代工龙头中芯国际送交一份名为自对准多重图案化(SAQP)晶片专利。由于美国制裁影响,不仅华为无法取得先进制程晶片,中芯国际也无法获得来自荷兰半导体设备商艾司摩尔(ASML)的极紫外光(EUV)曝光机,为了持续推进先进制程,只能选择多重曝光技术,借此提升电晶体密度。

 

从专利来看,SAQP技术主要是晶圆多次曝光蚀刻线路,以此提高电晶体密度、降低功耗,最大限度提升晶片效能。华为所搭载的麒麟 9000S 晶片据传就是中芯国际借此技术打造的7奈米制程,不过以良率、效能实际情况来看,恐怕无法与台积电的7奈米制程相提并论。

报导也提及,与华为合作、受到中国政府资金支援的半导体设备商深圳新凯来技术 (SiCarrier) 也获得了一项关于SAQP的专利,证实了中芯国际正在计划下一代制程节点所使用的技术。

实际上,浸润式微影之父、台积电前研发副总林本坚曾在公开场合回应中芯国际开发先进制程的情况,林本坚指出,微影技术及产能的投资成本很高,若只能微缩一点点,不见得每个人需要,中芯国际即便无法取得EUV曝光机,以现有设备并采用采用多重图形(Multiple patterning),也能推进到5奈米制程。


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