AI晶片生产速度不够快！　传台积电打造新技术、转向面板级封装

报导指出，当询问此消息的时候，台积电仅回应，该公司一直专注在面板级封装技术在内的先进封装技术的开发。消息人士表示，台积电与设备、材料供应商合作，采用最新方法研发晶片封装技术，传出将采用尺寸510×515mm，可使用面积是一般12吋晶圆的3倍之多。

不过，消息也强调，目前该技术仍在非常早期的阶段，但业界也需要像是台积电这种拥有非常强大的资源的企业，来开发新技术。

封装技术处在整个半导体制造后段，过去被视为技术含量不高的制程，但随著电晶体微缩已经来到摩尔定律极限，但追求效能持续提升与成本维持，先进封装技术被视为先进制程的延续重要关键，像是台积电，在扇出晶圆级封装（FOWLP）基础开发了整合扇出型封装（InFO）封装，用于苹果iPhone手机A10晶片以后。

台积电在2020年技术论坛宣布，将旗下SoIC、InFO及CoWoS 等3D IC技术平台，并命名为「3D Fabric」，在AI浪潮开始后，将CPU、GPU、DRAM等各种晶片进行堆叠封装，其中CoW（Chip on Wafer）指的是晶片堆叠，WoS（Wafer on Substrate）是将晶片封装在基板上。

对于辉达来说，以GB200 晶片为例，这是由2颗B200与Grace CPU晶片封装而成，并与8颗高频宽记忆体（HBM）封装，达到高速运算与加速性能表现。

台积电替辉达、AMD等半导体公司，甚至是亚马逊以及谷歌等科技巨头打造AI晶片，都是以目前最大的12吋矽晶圆来打造，市场人士指出，一片晶圆只能造16套B200晶片，还得达到100%良率，若能该技术能够推出，未来能在每片晶圆上制造出更多晶片。