3奈米卡关？传三星改动平泽P4晶圆厂生产计划　全力冲刺HBM

根据《韩国时报》报导指出，三星似乎改变平泽P4工厂的战略，优先考虑先进的DRAM记忆体生产，如HBM晶片，先前三星才在该厂设置NAND Flash生产线，预计近期投产，并开始安装电力设备。先前也有消息指出，三星在美国德州的泰勒市的晶圆厂建厂行动，原本用以生产4奈米，受到先进制程良率影响，考虑将相关人员撤出，借此集中资源发展。

三星平泽P4工厂为2022年开始动工，并与P3工厂有类似的生产设施，第一阶段将生产NAND Flash，之后投入于晶圆代工，接著才是DRAM生产线，但最新变动是将第一阶段后的生产流程，更动为HBM跟置NAND Flash生产线。