台积电发表了包括支援更佳功耗、效能与密度的强化版N3P制程、为高效能运算应用量身打造的N3X制程、以及支援车用客户及早采用业界最先进制程技术的N3AE解决方案。
台积电北美技术论坛于美国加州圣塔克拉拉市举行，共计超过1600位客户及合作伙伴报名参与，为接下来几个月陆续登场的全球技术论坛揭开序幕。本技术论坛亦设置创新专区，展示18家新兴客户令人期待的创新技术。
台积电总裁魏哲家表示：「我们的客户从未停止寻找新方法，以利用晶片的力量为世界带来令人惊叹的创新，并创造更美好的未来。凭借著相同的精神，台积公司也持续成长进步，加强并推进我们的制程技术，提高效能、功耗效率及功能性，协助客户在未来持续释放更多的创新。」
技术论坛主要的技术焦点包括：更广泛的3奈米技术组合：N3P、N3X、以及N3AE – 随著N3制程已进入量产，强化版N3E制程预计将于2023年量产，台积电推出更多3奈米技术家族成员以满足客户多样化的需求。
N3P预计于2024年下半年进入量产，相较于N3E，在相同漏电下，速度增快5%；在相同速度下，功耗降低5-10%，晶片密度增加4%。
N3X著重于效能与最大时脉频率以支援高效能运算应用，相较于N3P，在驱动电压1.2伏特下，速度增快5%，并拥有相同的晶片密度提升幅度，预计于2025年进入量产。
N3AE将提供以N3E为基础的汽车制程设计套件（PDK），预计于2023年推出，让客户能够提早采用3奈米技术来设计汽车应用产品，以便于2025年及时采用届时已全面通过汽车制程验证的N3A制程。
2奈米技术开发进展良好 – 台积公司2奈米技术采用奈米片电晶体架构，在良率与元件效能上皆展现良好的进展，将如期于2025年量产。相较于N3E，在相同功耗下，速度最快将可增加至15%；在相同速度下，功耗最多可降低30%，同时晶片密度增加大于15%。
N4PRF推进CMOS射频技术之极限 – 在2021年推出N6RF技术后，台积公司进一步开发N4PRF，此为业界最先进的互补式金属氧化物半导体（CMOS）射频技术，以支援WiFi7射频系统单晶片等数位密集型的射频应用。相较于N6RF，N4PRF逻辑密度增加77%，且在相同速度下，功耗降低45%。
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