三星HBM3E仍未通过辉达验证　韩媒：已开始研发下一代技术

据当地媒体报导，三星收到HBM3E Qualtest PRA（产品准备批准）通知，但随即遭到三星澄清否认，这使得三星当日股价大涨有所回落。不过，三星隔日发布第二季财报，受到全球市场需求回温与AI热潮推动，营收和营业利润双双均带来显著增长，合并营收约为74兆韩元，合并营业利润约为10.4兆韩元，销售额比去年同期增长约23.31%，营业利润更是大幅增长14倍之多，这使得三星股价在周五（5日）早盘上扬2.13%，创下今年新高。

对于AI伺服器处理器效能至关重要的HBM3E，三星的产品一直未能通过辉达验证，一度传出与台积电有关，这使得在HBM市场竞争对手SK海力士、美光居于弱势。当时外媒报导指出，主要是三星的记忆体仍无法处理过热与功耗过高等问题，导致辉达AI晶片无法使用，这印证了三星产品未通过台积电认证，是出自产品问题。

据《Businesskorea》报导，三星在半导体事业暨装置解决方案事业部(Device Solutions，DS)成立了HBM开发团队，以增强该公司在HBM技术的竞争力，这是在三星电子共同执行长庆桂显（Kye Hyun Kyung）接任DS部门主管1个多月后，最新的战略行动，这反映了三星将在先进记忆体市场保持领先地位的企图心。

报导指出，该团队的将专注在推动HBM3、HBM3E和下一代HBM4技术。今年早些时间，三星已经成立一个特别工作小组，用来提高三星HBM的竞争力，新团队将整合先前研发结果。三星从2015年以来就持续在记忆体业务部门营运一个HBM开发团队，今年2月更是推出12层HBM3E，为重要里程碑，目前已经送出给辉达测试。不过，三星在半导体的竞争居于劣势，不仅是记忆体方面，在晶圆代工更是遭到台积电抢攻既有的客户，以及台积电正式在2奈米导入GAA技术，预料让三星面临更大压力，这也使得三星撤换掉负责人，以因应竞争对手的挑战。