根据《韩国经济日报》报导,业内人士指出,三星将采用4奈米制程,量产第六代HBM4晶片的逻辑晶粒(logic die)。逻辑晶粒位于晶片堆叠最底层,为控制DRAM的HBM晶片核心元件。直至最新一代的HBM3E,三星、SK海力士等记忆体大厂都自行生产HBM所有部分,但是HBM4需要更大的客制化空间,来满足客户要求,加上逻辑晶粒若采用先进制程,将可以包括更多运算功能,因此需要额外导入先进制程工艺。
业内人士表示,4奈米无疑比7奈米、8奈米贵上许多,但是晶片效能与功耗表现也更为优异。三星4奈米良率约为7成,三星也运用该制程工艺生产Galaxy S24部分地区搭载的Exynos 2400处理器,目前以10奈米制程生产HBM3E的三星,打算利用4奈米制程抢回在记忆体领域的领导地位。三星预计在由系统LSI部门主导该计划,让HBM4晶片的性能最大化。有消息传出,为了因应三星的计划,台积电与SK海力士除了在原先12奈米制程的生产之外,也要增加5奈米制程的逻辑晶粒生产。
台积电与SK海力士于4月签署合作备忘录,共同开发HBM4技术,预计2026年量产。为了提高效能,SK海力士当时声明表示,双方针对封装在最底层的基础裸晶(Base Die)进行效能改善,将采用先进逻辑制程,海力士将DRAM裸晶(Core Die)堆叠在Base Die之上,透过TSV技术连接,采用台积电CoWoS先进封装技术,达到GPU控制HBM的目标。而HBM4的量产时程,也符合辉达下一代资料中心等级GPU架构平台Rubin,预期2026年问世,并搭载HBM4的进程。
![點擊閱讀下一則新聞](https://static.nextapple.tw/web/layout/img/clicktonext.png)
中信金提高收购新光金比例至51% 收购价每股14.55元总金额估1314亿元