知情人士透露,此举是限制美光、SK海力士、三星电子等主要记忆体制造商,向中国出货高频宽记忆体(HBM),但美国政府仍未做出最终决定。一旦实施新规限制,将涵盖HBM2至HBM3E(第五代HBM),以及制造这些记忆体的半导体设备。知情人士透露,美光几乎不会受到新规影响,因为在2023年中国就禁止厂商使用美光产品参与关键基础建设,该公司也不再向中国出货HBM。
知情人士指出,据传美国政府就是打算使用FDPR来限制这些企业出货给中国,而这些厂商生产记忆体也相当依赖像是美国的应用材料、Cadence Design Systems等半导体设备或是电子设计自动化(EDA)。目前传出新规将于8月底生效,被该报导提及的企业则是不予置评。
中媒先前报导,中国最大的DRAM制造商长鑫存储,正与国内的晶片封测厂商通富微电合作开发HBM,武汉新芯也打算建立一座HBM工厂,预估月产能将达到3000片12吋晶圆,预计今年2月开工。报导也指出,美国晶片禁令就是直指长鑫存储,加上先前禁止辉达将AI晶片出口至中国,仅能提供符合规定、算力大幅被削弱的产品,也限制美国的云端服务商与中国客户往来,让中国的AI发展受到极大限制。
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