知情人士透露，此举是限制美光、SK海力士、三星电子等主要记忆体制造商，向中国出货高频宽记忆体（HBM），但美国政府仍未做出最终决定。一旦实施新规限制，将涵盖HBM2至HBM3E（第五代HBM），以及制造这些记忆体的半导体设备。知情人士透露，美光几乎不会受到新规影响，因为在2023年中国就禁止厂商使用美光产品参与关键基础建设，该公司也不再向中国出货HBM。
知情人士指出，据传美国政府就是打算使用FDPR来限制这些企业出货给中国，而这些厂商生产记忆体也相当依赖像是美国的应用材料、Cadence Design Systems等半导体设备或是电子设计自动化（EDA）。目前传出新规将于8月底生效，被该报导提及的企业则是不予置评。
中媒先前报导，中国最大的DRAM制造商长鑫存储，正与国内的晶片封测厂商通富微电合作开发HBM，武汉新芯也打算建立一座HBM工厂，预估月产能将达到3000片12吋晶圆，预计今年2月开工。报导也指出，美国晶片禁令就是直指长鑫存储，加上先前禁止辉达将AI晶片出口至中国，仅能提供符合规定、算力大幅被削弱的产品，也限制美国的云端服务商与中国客户往来，让中国的AI发展受到极大限制。
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